MOSFET в Казани
Аименование прибора: IRFPC60 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально...
Мощный, n-канальный, МОП (MOSFET). Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях. Максимальное напряжение сток-исток: 600 В. Максимальный ток стока: 3,6 А. Статические сток-исток-сопротивление: 2,2 Ω....
Простой драйвер на основе MOSFET транзистора IRF520N. Позволяет получить ШИМ до 24В, используется для светодиодных лент, двигателей постоянного тока, микронасосов и помп. Несмотря на то, что драйвер MOSFET может пропускать...
Вы можете купить упаковку 10 шт. полевых транзисторов мосфетов Mosfet IRFZ44N. Мосфет является незаменимым электронным компонентом современных электронных устройств, таких как блоки питания, персональные компьютеры и пр. Характеристики транзистора IRFZ44N....
Служит в основном, как усилитель сигнала, либо как выпрямитель, для понижения напряжения до нужного значения. Принимает источник сигнала и понимает его как электромагнитное колебание, за счёт подаваемой на него мощности...
Служит в основном, как усилитель сигнала, либо как выпрямитель, для понижения напряжения до нужного значения. Принимает источник сигнала и понимает его как электромагнитное колебание, за счёт подаваемой на него мощности...
Микросхема N-MOSFET TO-252. Партномер P75N02LDG
Микросхема N-MOSFET T0-252. Партномер P3055LDG
Служит в основном, как усилитель сигнала, либо как выпрямитель, для понижения напряжения до нужного значения. Принимает источник сигнала и понимает его как электромагнитное колебание, за счёт подаваемой на него мощности...
Тестер LCR-TC1 конденсаторов, резисторов, диодов, индуктивностей и полупроводниковых элементов- автоматически тестирует выходные контакты элементов и отображает их на LCD экране. Измерение RLC и ESR. Встроенный литий-ионный аккумулятор 350 мА/ч. Заряд...
В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3401 A19T транзистор (5 шт.) SOT23 SMD MOSFET аналог AO3407A схема SSM3J332R характеристики цоколевка datasheet Транзистор AO3401, (30В, 4.2A, 1.4Вт) SOT23 smd P-Channel Enhancement...
В комплекте 5 штук новых транзисторов A2SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка datasheet Транзистор SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement...
Микросхема N-MOSFET INFINEON S-TD252 13N03LA. Партномер IPD13N03LAG
Многофункциональный тестер с графическим дисплеем TFT. Транзисторный тестер - Автоматическое определение биполярного транзистора NPN и PNP, N- и P- канала, MOSFET, JFET, диоды (в том числе двойные диоды), N- и...
Категория: радиодетали. Микросхема N-MOSFET INFINEON IPD13N03LAG 13N03LA S-TD252
Микросхема N-MOSFET VISHAY SI4810BDY-T1-E3 SOP-8. Партномер SI4810BDY
Категория: радиодетали. Микросхема N-MOSFET AO4422 4422 SOP-8
Тестер LCR-TC1 конденсаторов, резисторов, диодов, индуктивностей и полупроводниковых элементов- автоматически тестирует выходные контакты элементов и отображает их на LCD экране. Измерение RLC и ESR. Встроенный литий-ионный аккумулятор 350 мА/ч. Заряд...
Наименование прибора: SPP20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление...
Категория: радиодетали. Микросхема N-MOSFET P75N02LDG TO-252
Микросхема N-MOSFET SOP-8. Партномер AO4422
Категория: микросхемы. Микросхема N-MOSFET INFINEON BSC042N03SG 42N03S SO8
Многофункциональный тестер с графическим дисплеем TFT. Транзисторный тестер - Автоматическое определение биполярного транзистора NPN и PNP, N- и P- канала, MOSFET, JFET, диоды (в том числе двойные диоды), N- и...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF530N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2314 схема BUZ20 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF530N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов E13007-2 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MJE13007F схема KSE13007 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора E-13007 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400...
В комплекте 5 штук новых транзисторов SI2307 A7SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог AO3407A схема MMBT4355 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В -30 Максимальный...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF640N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP20N20 схема IRF640 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF640N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 200...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF530N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2314 схема BUZ20 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF530N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В...
В комплекте 5 штук новых транзисторов SI2301 A1SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог UT6401 схема AO3407A характеристики цоколевка datasheet Транзистор SI2301, A1SHB (20В, 2.2A, 1.25Вт) SOT23 smd P-Channel Enhancement...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ34N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1115 схема BUZ101S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ34N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ44N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1720 схема HUF75321S3S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ44N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов E13007-2 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MJE13007F схема KSE13007 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора E-13007 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400...
В комплекте 5 штук новых транзисторов SI2301 A1SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог UT6401 схема AO3407A характеристики цоколевка datasheet Транзистор SI2301, A1SHB (20В, 2.2A, 1.25Вт) SOT23 smd P-Channel Enhancement...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF540N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1116 схема HUF75623P3 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF540N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100...
Микросхема P-MOSFET TO-252. Партномер AP20P02CH
Микросхема N-MOSFET INFINEON P-TDS0N-8 32N03S. Партномер BSC032N03S
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ46N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1542 схема BUZ102S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ46N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55...
Модуль (драйвер) силового MOSFET- транзистора для подключения мощной нагрузки на выход контроллера, работающей на постоянном токе. Отличие этого модуля от модуля реле в его высоком быстродействии и долговечности. Этот модуль...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов TIP41C транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SC4242 схема BD711 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора TIP41C Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100...
Категория: радиодетали. микросхема N-MOSFET SY4892DY S0-8
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF840 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP9NK50Z схема 2SK2542 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF840 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 500...
N-chanell Q-FET MOSFET, Vds=650V, Id=7A, Pd=52W, Rds(on)=1,4 Ohm
Микросхема N-MOSFET INFINEON 42N03S SO8. Партномер BSC042N03SG
Мосфет 4925N служит в основном, как усилитель сигнала, либо как выпрямитель, для понижения напряжения до нужного значения. Принимает источник сигнала и понимает его как электромагнитное колебание, за счёт подаваемой на...